TOF-FIB-SIMS teenus

 

Tartu Ülikooli Keemia Instituut pakub võimalust kasutada Physical Electronics poolt toodetud fokusseeritud ioonkiir lõikamisvõimalusega lennuaja sekundaarioon massispektromeetri (FIB-TOF-SIMS) nanoTOF II uuringute teenuseid tahkete objektide pindade ning pinddefektide elementanalüüsiks. Ülimalt suur sügavustundlikus (paar aatom-/molekulkihti) võimaldab avastada ning tuvastada erinevate materjalide pinna saastumisi, mis on tihti asendamatu tööriist kvaliteedi kontrolli/vea tuvastamise protsessis. Lisaks võimaldab C60 ioonallika kasutamine tuvastada õhukeste orgaaniliste kihtide/kilede, sealhulgas kõikvõimalike polümeeride defekte ning ebakorrapärasid.

TOF-FIB-SIMS

FIB-TOF-SIMS võimekus ei piirdu vaid aatomkihi analüüsiga kuna proove on võimalik tänu erinevatele ioonallikatele (5kV Ar+; 5kV O-; 30kV C60++) materjali pinda maha pihustada (Sputtering) ning koostada uuritavast objektist <nm lahutusega sügavusprofiil.

Makroskoopiliste objektide korral on võimalik teostada materjali keemilise koostise sügavusprofiili fokusseeritud ioonkiir lõikamise teel, kus Ga+ ioonkiirega lõigatakse objekti vaateava ning analüüsitakse kuni 200x200µm alaga ristlõiget. Järjestik lõikamise ja analüüsimise teel on võimalik rekonstrueerida materjali keemiline 3D struktuur.

Eritemperatuuridel mõõtmise jaoks on võimalik kasutada proovihoidjat, millega on võimalik kontrollida uuritava objekti temperatuuri vahemikus -150°C kuni 200°C. On võimalik ka kasutada kõrgtemperatuurset proovihoidjat, mille töövahemik on toatemperatuurist kuni 600°C.

Tänu TOF-SIMS suurele massilahutusele  on võimalik eristada elementide erinevaid isotoope, mis võimaldab kasutada erinevate bioloogiliste ja ioonjuht materjalidel isotoop markeerimist näiteks deuteeriumi või 18-hapnikuga.

 

 

Teenused sisaldavad:

  • spetsialisti(de) konsultatsioone: tellijaga arutatakse läbi nende teaduslik-tehnilised probleemid ja hinnatakse, kas antud metoodikad suudavad pakkuda tellijale huvipakkuvatele probleemidele lahendusi,
  • proovide käitlemise koolitust,
  • materjalide analüüsimist TOF-SIMS’ga kogenud operaatorite poolt,
  • abi mõõtmistulemuste interpreteerimisel, vajadusel ka analüüsimisel,
  • tellitud arendustegevusi, mille käigus töötatakse välja ja/või juurutatakse uusi uurimismeetodeid, mida antud taristu võimaldab rakendada tellija konkreetsete probleemide lahendamiseks,
  • tellitud uurimistöid, kus labori spetsialistid koostöös tellijaga lahendavad tellijale huvipakkuvaid keerukamaid teaduslik-tehnilisi probleeme, mida pole võimalik lahendada mõne lühiajalise mõõtmise/analüüsi käigus – viimast kahte teenust saab/on mõistlik sageli ühitada.

 

Võimalik on korraldada insener-tehnilistele töötajatele lühiajalisi koolistusi materjalide karakteriseerimise meetodites.

  • Esmane kontaktisik: Enn Lust (e-mail: enn.lust@ut.ee)
  • Operaatorid: Rait Kanarbik ja Priit Möller

 

Eesti teadustaristu teekaardi objekt „Nanomaterjalide tehnoloogiate ja uuringute keskus (NAMUR+)” on kaasrahastatud Euroopa Regionaalarengu Fondist (projektid „Nanomaterjalid – rakendused ja uuringud“, 3.2.0304.12-0397, 01.02.2012-31.12.2015 ja „Nanomaterjalide tehnoloogiate ja uuringute keskus”, 2014-2020.4.01.16-0123, 01.01.2017 - 30.06.2022 ).